Николай Николаевич Горюнов (31 января 1931, Москва — 25 июля 2002) — советский и российский учёный, инженер и педагог, кандидат физико-математических наук. Альма-матер МГУ им.М.В.Ломоносова

В 1958 г. окончил аспирантуру на Физическом факультете МГУ им. М. В. Ломоносова и защитил кандидатскую диссертацию в области радиационной физики полупроводников.

Вся его последующая жизнь была посвящена научной и педагогической деятельности в области полупроводниковой электроники.

С 1961 г. работал в ЦБП НПП, затем ЦНИИ «Циклон» в качестве главного инженера, начальника отдела.

С 1976 г. работал в НИИ «Радиосвязи» в должности начальника сектора.

С 1978 г. работал на Кафедре полупроводниковой электроники и физики полупроводников МИСиС в должности профессора кафедры.

В шестидесятые годы двадцатого века Николай Николаевич принимал активное участие в создании Центрального бюро применения полупроводниковых приборов (ЦБП НПП), где работал в должности главного инженера. При его участии ЦБП НПП был реорганизован в Центральный научно-исследовательский институт применения электронных изделий — головной НИИ в Министерстве электронной промышленности СССР (ЦНИИ «Циклон»).

Под руководством и при непосредственном участии Николая Николаевичавыполнен обширный комплекс исследований физических свойств полупроводников, определены и изучены главные факторы деградации полупроводниковых структур, теоретически обоснованы и экспериментально подтверждены зависимости показателей долговечности и сохраняемости полупроводниковых приборов от уровней дестабилизирующих воздействий, построены физико-математические модели надёжности основных классов полупроводниковых приборов. Николай Николаевич внёс значительный вклад в решение проблемы обеспечения длительной работоспособности изделий электронной техники в составе аппаратуры наземных комплексов и космических аппаратов, организовав разработку и выпуск первых соответствующих нормативных документов. Он участвовал в организации работ по обеспечению длительных сроков функционирования аппаратуры спутников связи.

Николаем Николаевичем было создано целое направление в области неразрушающего контроля электронных изделий. Совместно со своими сотрудниками и учениками он разработал комплекс методов диагностики, основанных на регистрации фотоответного, рекомбинационного, электролюминесцентного и теплового излучений.

Под его руководством впервые была разработана и внедрена в производство радиационная отбраковка потенциально ненадёжных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Главной проблемой в отечественных научных исследованиях всегда было отсутствие их аппаратного обеспечения. Н. Н. Горюнов не только разрабатывал теоретические основы методов диагностики, но и создавал аппаратуру для их практической реализации. Под руководством Николая Николаевича в ЦНИИ «Циклон» была впервые осуществлена попытка автоматизации контроля качества электронных изделий путем компьютерной обработки изображений.

Под его редакцией вышло несколько изданий справочников по полупроводниковым приборам и интегральным схемам — настольных книг инженеров электронной техники и разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.

Сфера интересов Николая Николаевича простиралась далеко за пределы проблематики ЦНИИ «Циклон» и включала в себя такие разные области знания как физика космических лучей, биофизические процессы в организме человека, новые способы создания полупроводниковых приборов и интегральных схем, оригинальные методы и устройства для решения актуальных проблем материаловедения, основанные на спектроскопии различных видов электромагнитных излучений.

Профессор Н. Н. Горюнов в 1978 г. пришел работать на кафедру полупроводниковой электроники и физики полупроводников МИСиС.

Н. Н. Горюнов был инициатором введения в МИСиС новых курсов по микроэлектронике, таких как «Интегральная микросхемотехника» и «Надежность и контроль качества полупроводниковых приборов и ИС». Он участвовал в модернизации практикумов по курсам «Основы радиационной технологии полупроводниковых приборов и ИС», «Физика полупроводников» и «Физика импульсного отжига полупроводниковых приборных структур».